1. KSC5026MOS
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

KSC5026MOS 

产品描述

Trans GP BJT NPN 800V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bulk

内部编号

3-KSC5026MOS

#1

数量:3068
1+¥4.4445
10+¥3.7334
100+¥2.4069
1000+¥1.9282
2000+¥1.6274
5000+¥1.5658
10000+¥1.559
25000+¥1.4701
50000+¥1.4428
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:6
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:6
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新加坡
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原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

KSC5026MOS产品详细规格

规格书 KSC5026MOS datasheet 规格书
KSC5026MOS datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 250
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 1.5A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 800V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 2V @ 150mA, 750mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 20 @ 100mA, 5V
功率 - 最大 20W
频率转换 15MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-225AA, TO-126-3
供应商器件封装 TO-126
包装材料 Bulk
包装 3TO-126
类型 NPN
引脚数 3
最大集电极发射极电压 800 V
集电极最大直流电流 1.5 A
最小直流电流增益 20@0.1A@5V|8@0.5A@5V
最大工作频率 15(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压 2@0.15A@0.75A V
最大集电极基极电压 1100 V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 20000 mW
安装 Through Hole
标准包装 Bulk
集电极最大直流电流 1.5
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-225-AA
最低工作温度 -55
最大功率耗散 20000
最大基地发射极电压 7
Maximum Transition Frequency 15(Typ)
封装 Bulk
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 1100
供应商封装形式 TO-126
最大集电极发射极电压 800
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 1.5A
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 15MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 2V @ 150mA, 750mA
电流 - 集电极截止(最大) 10µA (ICBO)
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 800V
供应商设备封装 TO-126
功率 - 最大 20W
封装/外壳 TO-225AA, TO-126-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 20 @ 100mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 250
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 7 V
安装风格 Through Hole
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
直流集电极/增益hfe最小值 10
直流电流增益hFE最大值 40
单位重量 0.026843 oz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 800 V
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
集电极 - 发射极饱和电压 2 V
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 1.5 A
增益带宽产品fT 15 MHz
系列 KSC5026M
集电极 - 基极电压VCBO 1.1 kV
最低工作温度 - 55 C
频率 - 跃迁 15MHz
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 2V @ 150mA, 750mA
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极截止(最大值) 10µA (ICBO)
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 20 @ 100mA, 5V
封装/外壳 TO-225AA, TO-126-3
功率 - 最大值 20W
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 1.5A
电压 - 集射极击穿(最大值) 800V
品牌 Fairchild Semiconductor
身高 11 mm
长度 8 mm
Pd - Power Dissipation 20 W

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